技術(shù)參數(shù)：

• Ic(A),Tc=80℃          600

• Vce(sat),Max(V)        2.1

• Ton(us)                0.18

• Toff(us)               0.5

• Rth(j-c),K/W           0.041

• Pc(W)                  3650

• 封裝                  EconoDual3

• 電路結(jié)構(gòu)               半橋

性能概要：

• 低V（CESAT）

• T（VJ OP）=150℃

• V（CESAT）具有正溫度系數(shù)

• 高功率密度

• 隔離底板

• 標(biāo)準(zhǔn)外形

優(yōu)點(diǎn)：

• 緊湊型模塊

• 容易和最可靠的組裝

• 滿足任何插頭和電纜要求

• 理想的低電感系統(tǒng)設(shè)計

目標(biāo)應(yīng)用：

• 電機(jī)控制和驅(qū)動

• 感應(yīng)加熱

最高性能，效率和可靠性的IGBT

• 工業(yè)焊接

• 不間斷電源（UPS）

• 太陽能系統(tǒng)解決方案

對于完整的太陽能電力解決方案的主導(dǎo)產(chǎn)品